然而，本轮涨价与以往周期最大的不同在于一个关键变量——HBM（高带宽内存）的爆发式增长。AI芯片（如英伟达H200/B200）对HBM的需求是传统DRAM的数倍甚至数十倍。三大原厂将大量先进制程产能转向HBM，挤占了原本用于生产手机LPDDR（低功耗内存）的产能。这种“结构性短缺”成为本轮涨价的核心推手。
Article InformationAuthor, 本·哈頓（Ben Hatton）。夫子对此有专业解读
据悉，这项技术通过飞秒激光在玻璃内部刻写体素（voxel）结构，实现高密度、低能耗且可保存上万年的数据存储能力。，详情可参考heLLoword翻译官方下载
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